[发明专利]一种TSV晶圆表面抛光方法有效
| 申请号： | 201510114943.1 | 申请日： | 2015-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN104716090B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 吴道伟;李克中;张波;郑晓琼 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;B24B37/04 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人： | 李宏德 |
| 地址： | 710068 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明一种TSV晶圆表面抛光方法，先用H2SO4溶液和双氧水混合溶液对TSV盲孔电镀晶圆表面的铜层进行腐蚀处理；然后采用热剥离双面胶带将晶圆粘接到陶瓷盘上，进行晶圆制样过程；再将晶圆整体放置于贴附抛光垫的转动盘上进行抛光去除铜层；最后加热取下陶瓷盘后采用Ta或Ti腐蚀液，去除TSV盲孔电镀晶圆表面对应的Ta或Ti阻挡层，完成对TSV晶圆表面的抛光。通过增加对TSV盲孔电镀晶圆表面的微处理，改善盲孔电镀晶圆表面状态，利于对铜层的抛光，降低抛光的成本；工艺操作简单，成本低，能够适用于不同尺寸晶圆及残片；通过采用热剥离双面胶带能提高晶圆制样过程中厚度均匀性，提高TSV盲孔电镀晶圆抛光后晶圆表面质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tsv 表面 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种TSV晶圆表面抛光方法，其特征在于，先用H2SO4溶液和双氧水混合溶液对TSV盲孔电镀晶圆表面的铜层进行腐蚀处理；然后采用热剥离双面胶带将晶圆粘接到陶瓷盘上，进行晶圆制样过程；再将晶圆整体放置于贴附抛光垫的转动盘上进行抛光去除铜层；最后加热取下陶瓷盘后采用Ta或Ti腐蚀液，去除TSV盲孔电镀晶圆表面对应的Ta或Ti阻挡层，完成对TSV晶圆表面的抛光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
