[发明专利]一种降低LED二极管电压的外延方法

摘要

本发明提供一种降低LED二极管电压的外延方法，至少包括以下步骤S1提供一衬底，在所述衬底上依次生长缓冲层、非掺杂GaN层及N型GaN层；S2在所述N型GaN层上生长浅量子阱周期性结构，其中，所述浅量子阱周期性结构为InGaN/GaN周期性结构，周期为3~30；每一InGaN层中，In组分范围是1~10%，且自下而上位于不同周期的多个InGaN层中，In组分不同；S3在所述浅量子阱周期性结构上生长多量子阱发光层；S4在所述多量子阱发光层表面依次生长P型电子阻挡层、P型GaN层及P型接触层。本发明可以降低LED二极管的工作电压，从而降低LED二极管的发热，提升LED芯片的光效及寿命。

主权项

一种降低LED二极管电压的外延方法，其特征在于，至少包括以下步骤：S1：提供一衬底，在所述衬底上依次生长缓冲层、非掺杂GaN层及N型GaN层；S2：在所述N型GaN层上生长浅量子阱周期性结构，其中，所述浅量子阱周期性结构为InGaN/GaN周期性结构，周期为3～30；每一InGaN层中，In组分范围是1～10％，且自下而上位于不同周期的多个InGaN层中，In组分不同，以在所述InGaN/GaN周期性结构中产生在表面的直径小于150nm，密度范围是5.0E8～1.0E10cm‑2的六角晶体缺陷；S3：在所述浅量子阱周期性结构上生长多量子阱发光层；S4：在所述多量子阱发光层表面依次生长P型电子阻挡层、P型GaN层及P型接触层。