[发明专利]硅基电极制作工艺及其储能装置有效
| 申请号： | 201510115323.X | 申请日： | 2015-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN106033807B | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 石东益;杜正恭;刘伟仁;陈秉宏;庄上毅 | 申请（专利权）人： | 石东益;杜正恭;陈秉宏 |
| 主分类号： | H01M4/1395 | 分类号： | H01M4/1395;H01M4/62;H01M10/058;H01M10/052 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种储能装置，包括容置有电解液的壳体、硅基电极、正极板及隔离膜，且硅基电极、正极板及隔离膜浸润于电解液内，且隔离膜设置在硅电极及正极板之间。其中，硅基电极包含导电基板、于表面具有原子掺杂层的硅层设置在导电基板上以及有机保护膜层镀覆在具有原子掺杂层的硅层的表面上。利用经过表面改质处理以及镀覆有机保护膜层的硅基电极做为储能装置的负极电极，可以提升库仑转换效率以及降低界面阻抗，藉此增加储存系统的使用寿命。除此之外，原子掺杂层与有机保护膜层的顺序可替换或可为其组合。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 制作 工艺 及其 装置 | ||
【主权项】：
1.一种硅基电极的制作工艺，其特征在于，包括:提供导电基板；形成硅层于所述导电基板上；对所述硅层的表面执行等离子体改质步骤，所述等离子体改质步骤是将多个原子掺杂于所述硅层的所述表面，且于所述表面形成原子掺杂层；以及于所述原子掺杂层上镀覆有机保护膜层。
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