[发明专利]ESD保护结构、包括该结构的栅控功率器件及制造方法有效
| 申请号： | 201510115366.8 | 申请日： | 2015-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104733445B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 孙博韬;王立新;张彦飞 | 申请（专利权）人： | 北京中科新微特科技开发股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司11453 | 代理人： | 苗源 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种ESD保护结构、包括该结构的栅控功率器件及制造方法。该ESD保护结构包括第一导电类型外延层；位于第一导电类型外延层内第一具有第二导电类型的阱区和第二具有第二导电类型的阱区；位于外延层内，在第一具有第二导电类型的阱区和第二具有第二导电类型的阱区之间的第一导电类型阱区；位于第一导电类型阱区内的第一导电类型调阈值注入区；位于第一具有第二导电类型的阱区内的第一导电类型漏极注入区；位于第二具有第二导电类型的阱区中的第一导电类型源极注入区；以及位于所述第一导电类型外延层顶部的栅氧化层。该结构具有双向的ESD保护能力，且具有较小的漏电性能。 | ||
| 搜索关键词： | esd 保护 结构 包括 功率 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种ESD保护结构，其特征在于，所述ESD保护结构包括：第一导电类型外延层(100)；位于所述第一导电类型外延层(100)内的第一具有第二导电类型的阱区(101‑1)和第二具有第二导电类型的阱区(101‑2)；位于所述外延层(100)内，在所述第一具有第二导电类型的阱区(101‑1)和所述第二具有第二导电类型的阱区(101‑2)之间的第一导电类型阱区(102)；位于所述第一导电类型阱区(102)内的第一导电类型调阈值注入区(104)；位于所述第一具有第二导电类型的阱区(101‑1)内的第一导电类型漏极注入区(105)；位于第二具有第二导电类型的阱区(101‑2)中的第一导电类型源极注入区(106)；以及位于所述第一导电类型外延层(100)顶部的栅氧化层(108)；其中，所述第一导电类型调阈值注入区(104)的注入剂量为5×1011～1×1013/cm2；所述第二具有第二导电类型的阱区(101‑2)还包括第一导电类型源极(107)，所述第一导电类型漏极注入区(105)与所述第一具有第二导电类型的阱区(101‑1)的边界的距离L1以及所述第一导电类型源极注入区(106)与其相邻的第二具有第二导电类型的阱区(101‑2)的边界的距离L2均大于所述第一导电类型源极(107)与其相邻的第二具有第二导电类型的阱区(101‑2)的边界的距离L3；所述第一具有第二导电类型的阱区(101‑1)、所述第二具有第二导电类型的阱区(101‑2)、所述第一导电类型阱区(102)、所述第一导电类型调阈值注入区(104)、所述第一导电类型漏极注入区(105)、所述第一导电类型源极注入区(106)以及所述栅氧化层(108)组成了三个串联的MOS结构。
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