[发明专利]硅基电极及其制作工艺有效
| 申请号： | 201510115594.5 | 申请日： | 2015-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN106033808B | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 石东益;杜正恭;刘伟仁;陈秉宏;庄上毅 | 申请（专利权）人： | 石东益;杜正恭;陈秉宏 |
| 主分类号： | H01M4/1395 | 分类号： | H01M4/1395;H01M4/134;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种硅电极的制作工艺，其步骤包括:提供导电基板；于导电基板上形成硅层；以及对硅层的表面执行等离子体改质步骤，其中等离子体改质步骤是将多个原子掺杂于硅层的表面，且于表面形成原子掺杂层。本发明还揭露一种硅电极，包括导电基板、于导电基板上设置表面具有原子掺杂层的硅层、以及设置在原子掺杂层上的有机保护膜层，其中在硅层的表面的原子掺杂层中的原子为氮、磷、硼或者上述任意组合。硅层由硅基材料、黏着剂及助导剂所组成，藉由在硅层表面的原子掺杂层，可以抑制界面反应层的形成，藉此可以提升硅电极的电容量以及循环寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种硅基电极的制作工艺，其特征在于，包括:提供导电基板；形成硅层于所述导电基板上；以及对所述硅层的表面执行等离子体改质步骤，所述等离子体改质步骤是将多个原子掺杂于所述硅层的所述表面，且于所述表面形成原子掺杂层。
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