[发明专利]温度场可控的氮化铝晶体生长装置及工艺在审
| 申请号： | 201510116383.3 | 申请日： | 2015-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN106149057A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 武红磊;郑瑞生;徐百胜;梁逸;贺姝慜 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于晶体制备领域，特别涉及一种氮化铝晶体的生长装置及对应的工艺。本发明提供温度场可控的氮化铝晶体生长装置及工艺，具有温度场控制精确、操作性强等优点，由此发展的相应生长工艺符合氮化铝晶体的结晶特性。该制备装置包括顶加热器、中加热器、底加热器、顶保温层、侧保温层、底保温层、红外测温仪、坩埚和坩埚支架组成。装置根据三个红外测温仪返回的生长区域三个不同位置的温度信号，进行顶加热器、中加热器和底加热器加热功率的温控调节，满足了氮化铝晶体生长的合适温度场条件。本发明为制备大尺寸、高品质的氮化铝单晶体提供合适的生长装置及有效、可行的工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 温度场 可控 氮化 晶体生长 装置 工艺 | ||
【主权项】：
温度场可控的氮化铝晶体生长装置，由加热器、保温层、红外测温仪(5)、坩埚(6)和坩埚支架(7)组成，其中，加热器包括顶加热器(3)、中加热器(4)和底加热器(8)，保温层包括顶保温层(1)、侧保温层(2)和底保温层(9)，各加热器和保温层之间均相互独立。
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