[发明专利]半导体装置

摘要

本发明公开了一种半导体装置包含主动层、源极、漏极、栅极、第一介电层、源极导线、第一源极贯穿结构、第二介电层、源极垫与第二源极贯穿结构。源极置于主动层上且沿第一方向延伸。漏极置于主动层上，且与源极交替排列。栅极分别置于源极与漏极之间。第一介电层覆盖源极、漏极与栅极。源极导线置于第一介电层上。第二介电层覆盖源极导线。源极垫置于第二介电层上，且包含第一源极主干、第一源极分支与源极次分支。第一源极主干沿第一方向延伸。第一源极分支突出于第一源极主干，且置于源极导线上。源极次分支突出于第一源极分支，且置于源极上。在不增加源极漏极之间电容值的情况下，源极垫可降低源极本身的电阻，且漏极垫可降低漏极本身的电阻。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一主动层；多个源极，置于所述主动层上且沿一第一方向延伸；多个漏极，置于所述主动层上，且与所述多个源极交替排列；多个栅极，分别置于所述多个源极与所述多个漏极之间；一第一介电层，覆盖所述多个源极、所述多个漏极与所述多个栅极；多个源极导线，置于所述第一介电层上；多个第一源极贯穿结构，置于所述第一介电层中，且连接所述多个源极与所述多个源极导线；一第二介电层，覆盖所述多个源极导线；一源极垫，置于所述第二介电层上，其中所述源极垫包含：一第一源极主干，沿着所述第一方向延伸；一第一源极分支，突出于所述第一源极主干，且置于任一的所述多个源极导线上；以及一源极次分支，突出于所述第一源极分支，且置于任一的所述多个源极上；以及多个第二源极贯穿结构，置于所述第二介电层中，且连接所述源极垫与所述多个源极导线。