[发明专利]渐变折射率材料分布式布拉格反射镜及其制造方法有效
| 申请号： | 201510117057.4 | 申请日： | 2015-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104678469B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 奚衍罡;陈小源 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海高等研究院 |
| 主分类号： | G02B5/08 | 分类号： | G02B5/08;G02B1/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种渐变折射率材料分布式布拉格反射镜及其制造方法，包括步骤：1)提供基底，在所述基底表面制备过渡层，所述过渡层下表面的折射率与所述基底的折射率匹配；过渡层的折射率分布可以是一致的、阶梯状的或渐变的；2)在所述过渡层表面制备由高折射率材料层和低折射率材料层交替重复的分布式布拉格反射镜(Distributed Bragg Reflector，DBR)，其中，所述高折射率材料层和/或低折射率材料层为渐变折射率材料层；DBR也可以是一套或多套叠加。本发明采用掠入射角镀膜工艺制备渐变折射率材料，并采用该材料形成DBR结构，这种DBR结构周期少、性能高，同时可以和不同基底有效集成，显著降低生产成本，提高器件的出光效率，促进DBR的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 渐变 折射率 材料 分布式 布拉格 反射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种渐变折射率材料分布式布拉格反射镜的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括：1)提供基底，在所述基底表面制备过渡层，所述过渡层下表面的折射率与所述基底的折射率匹配，所述基底为GaN蓝光LED芯片；2)在所述过渡层表面制备由高折射率材料层和低折射率材料层交替重复的分布式布拉格反射镜，其中，所述高折射率材料层和/或低折射率材料层为渐变折射率材料层，所述分布式布拉格反射镜对450～480nm波段的光具有高透过率，对500～600nm波段的光具有高反射率，其中，采用掠入射角镀膜工艺或者通过化学腐蚀制备所述渐变折射率材料，所述渐变折射率材料为多孔或纳米柱状材料，通过改变材料与空隙的体积比来调节所述渐变折射率材料的有效折射率。
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