[发明专利]半导体器件、半导体器件设计方法、半导体器件设计装置以及程序有效
| 申请号： | 201510118132.9 | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN104733425B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 友田雅史;佃昌幸 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,张宁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件、半导体器件设计方法、半导体器件设计装置以及程序。一种电势供应连接互连设置在多层互连层中。该电势供应连接互连在平面图中与外周界单元列中的I/O单元中的某些单元以及内周界单元列中的I/O单元中的某些单元重叠。该电势供应连接互连将位于外周界单元列之下的电源电势供应互连连接到位于内周界单元列之下的电源电势供应互连，并且还将位于外周界单元列之下的接地电势供应互连连接到位于内周界单元列之下的接地电势供应互连。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 设计 方法 装置 以及 程序 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体芯片，所述半导体芯片包括：衬底；形成在所述衬底上方的多层互连层；在平面图中沿所述衬底的边缘布置的外周界单元列，所述外周界单元列具有至少一个第一I/O单元；形成在所述外周界单元列的内周界侧处的内周界单元列，所述内周界单元列具有至少一个第二I/O单元；设置在所述外周界单元列或者所述内周界单元列的至少任一个中的电势供应单元，所述电势供应单元为电源电势供应单元或者接地电势供应单元；形成在所述多层互连层的最上层互连层中的电极焊盘，所述电极焊盘中的至少一个设置在所述第一I/O单元中，所述电极焊盘中的至少一个设置在所述电势供应单元中，所述电极焊盘中的至少一个设置在所述第二I/O单元中；设置在所述最上层互连层之下的互连层中的第一电势供应互连，所述第一电势供应互连在与所述外周界单元列相同的方向上延伸，所述第一电势供应互连连接到所述第一I/O单元；设置所述最上层互连层之下的所述互连层或者另一互连层中的第二电势供应互连，所述第二电势供应互连在与所述内周界单元列相同的方向上延伸，所述第二电势供应互连在平面图中位于所述第一电势供应互连的内周界侧，所述第二电势供应互连连接到所述第二I/O单元；以及连接所述第一电势供应互连与所述第二电势供应互连的电势供应连接互连，其中所述电势供应单元直接连接到所述第一电势供应互连或者所述第二电势供应互连中的任一个，并且所述电势供应单元通过所述第一电势供应互连或者所述第二电势供应互连中的一个和所述电势供应连接互连连接到所述第一电势供应互连或者所述第二电势供应互连中的另一个；其中所述电势供应连接互连中的第一电势供应连接互连被提供为在平面图中与所述第一I/O单元中的第一I/O单元和所述第二I/O单元中的第一I/O单元重叠；其中所述电势供应连接互连中的第二电势供应连接互连被提供为在平面图中与所述第一I/O单元中的第一I/O单元和所述第二I/O单元中的第二I/O单元重叠；以及其中所述电势供应连接互连中的第三电势供应连接互连被提供为在平面图中与所述第一I/O单元中的第二I/O单元和所述第二I/O单元中的第二I/O单元重叠。
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