[发明专利]一种电场强化熔渣精炼提纯硅合金的方法有效
| 申请号： | 201510118143.7 | 申请日： | 2015-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN104724704B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 王志;杜冰;孙丽媛;王明涌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院过程工程研究所 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;C22C21/02 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司11251 | 代理人： | 成金玉,孟卜娟 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种强化熔渣精炼提纯合金的方法，特别涉及一种电场强化熔渣精炼提纯硅合金的方法。主要包括(1)首先预熔熔渣与合金，形成稳定的熔渣与合金双层界面；(2)其次将两根电极分别插入熔渣层和合金层中；(3)在一定温度条件下在电极两端施加电压进行氧化精炼；(4)将精炼所得合金经破碎分离，获得纯化的多晶硅。本发明通过电场作用，解决了熔渣精炼过程中杂质元素分配系数小，传质速率慢的技术难题，大幅度提高了合金中杂质的分离净化效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电场 强化 精炼 提纯 合金 方法 | ||
【主权项】：
一种电场强化熔渣精炼提纯硅合金的方法，其特征在于：将50 g硅粉与50g纯度为99.99%的金属锡预熔成锡硅合金，将500 g CaO、SiO2、Al2O3按照质量比3:3:2的比例预熔，作为渣剂，将预熔后的合金和渣剂放在一起升温至1500℃，形成稳定的熔渣与合金双层界面，将两根钨丝电极分别插入渣层和合金层，正极插入合金层，负极插入渣层，在正负极电极两端施加3V电压进行氧化精炼，将精炼所得合金经破碎分离，获得纯化的多晶硅。
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