[发明专利]双极型晶体管的基区形成方法在审
| 申请号： | 201510118272.6 | 申请日： | 2015-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN106033723A | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃;文燕;高振杰;马万里;石金成 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 陶敏;黄健 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双极型晶体管的基区形成方法。该方法包括：将在集电区的设定区域形成离子注入掺杂区的半导体晶圆放入炉管中；对半导体晶圆进行高温处理期间，以半导体晶圆的圆心为中心对半导体晶圆进行旋转处理，以形成双极型晶体管的基区。该方法使双极型晶体管在设定区域形成的基区的结深均匀，保证了双极型晶体管的参数一致性，有效提高了双极型晶体管的制造精度。 | ||
| 搜索关键词： | 双极型 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种双极型晶体管的基区形成方法，其特征在于，包括：将在集电区的设定区域形成离子注入掺杂区的半导体晶圆放入炉管中；对所述半导体晶圆进行高温处理期间，以所述半导体晶圆的圆心为中心对所述半导体晶圆进行旋转处理，以形成所述双极型晶体管的基区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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