[发明专利]AHB总线访问片上SRAM的高速桥装置及其工作方法有效

专利信息
申请号: 201510118530.0 申请日: 2015-03-18
公开(公告)号: CN104679681B 公开(公告)日: 2018-01-12
发明(设计)人: 王运哲;孙晓宁;戴邵新;杨萌;赵阳;刘大铕;刘奇浩 申请(专利权)人: 山东华芯半导体有限公司
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16;G06F12/02
代理公司: 济南舜源专利事务所有限公司37205 代理人: 徐槐
地址: 250101 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种AHB总线访问片上SRAM的高速桥装置,包括寄存器和加一计数器,写操作时,访问AHB总线地址经寄存器寄存一拍后得到的SRAM地址,即上一个时钟周期的AHB总线地址;读操作时,在读操作数据返回拍,访问AHB总线地址经加一计数器加一计数后得到的预测地址,在读操作数据传输未完成拍,AHB总线地址为SRAM地址,即访问当前AHB总线地址。本发明还公开了一种AHB总线访问片上SRAM的高速桥装置的工作方法。本发明使用带有地址预测机制的总线桥加速大容量SRAM的读写访问,提高整个系统的运行效率。
搜索关键词: ahb 总线 访问 sram 高速 装置 及其 工作 方法
【主权项】:
一种AHB总线访问片上SRAM的高速桥装置,其特征在于:包括寄存器和加一计数器,写操作时,访问AHB总线地址经寄存器寄存一拍后得到的SRAM地址,即上一个时钟周期的AHB总线地址;读操作时,在读操作数据返回拍,访问AHB总线地址经加一计数器加一计数后得到的预测地址,在读操作数据传输未完成拍,AHB总线地址为SRAM地址,即访问当前AHB总线地址;所述读操作数据传输未完成拍为hready_out信号拉低时的数据拍,所述hready_out信号拉低的条件为:处于hsel信号上升沿、hwrite信号下降沿、sram_wr_en信号下降沿和上拍读操作未命中时。
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