[发明专利]一种小分子有机半导体单晶的制备方法

摘要

本发明公开了一种制备有机小分子半导体单晶的方法，本发明基于溶剂蒸汽退火进行：在一定的溶剂蒸汽氛围下，有机半导体薄膜吸收溶剂，部分溶解活化，薄膜的聚集态结构由原来多晶状态转变为运动性更强的半溶解态，分子的扩散和传质运动增强。半导体分子通过扩散和自组装过程重新排列结晶，获得具有更高规整性的凝聚态结构。该方法是一个有机溶剂与有机半导体分子、有机溶剂与基底、有机半导体分子与基底的多重作用的复杂过程，它包括有机半导体分子溶解、活化、迁移、自组装重排结晶。本发明通过调控溶液浓度、有机溶剂种类，蒸汽压以及退火温度，可以在基片表面上形成大面积、尺寸均一的有机小分子半导体单晶。

主权项

制备小分子有机半导体单晶的方法，其特征在于：包括下列步骤，第一步，基片的清洗；所述基片为玻璃基片、硅片或者硅/二氧化硅(Si/SiO₂)基片，必须保证基片清洁无污染，并且具有一定的亲水性；第二步，配置小分子有机半导体溶液，通过旋涂、滴涂或者吹涂的方式在基片上形成薄膜膜；第三步，配置饱和有机蒸汽环境，将薄膜置于饱和有机蒸汽中处理10h～24h；所述的饱和的有机蒸汽是将有机溶剂预先放在密闭容器中4h以上，使密闭容器内蒸汽压稳定；第四步，取出上述基片，在基片上得到大面积的小分子有机半导体单晶。