[发明专利]一种侦测POWER MOS电流的方法在审
申请号: | 201510120461.7 | 申请日: | 2015-03-19 |
公开(公告)号: | CN104730316A | 公开(公告)日: | 2015-06-24 |
发明(设计)人: | 陆岩;王武军 | 申请(专利权)人: | 浪潮集团有限公司 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00 |
代理公司: | 济南信达专利事务所有限公司 37100 | 代理人: | 姜明 |
地址: | 250101 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公开一种侦测POWER MOS电流的方法,属于服务器板载电源设计领域;具体步骤为:划分POWER MOS 的cell mos单元为两部分,作为功率MOS流过电流部分包含n1个cell,作为侦测电流的部分包含n2个cell,其中n1﹥﹥n2;电流关系为In1=n1/n2*In2;将电阻和放大器集成封装在芯片里,将芯片中的放大器正负极输入端连接到POWER MOS电路中,放大器输出的电压信号测算n1与n2的关系,其中电压信号V= In1*n2/n1*R,得出In1的数据作为侦测POWER MOS电流的数据;本发明电流侦测线路简单,易于LAYOUT设计,并且可以灵活布局,降低PCB的占用面积,且不受占空比、温度、PCB布局、Switch Noise及外围元件误差的影响,电流侦测更准确的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 侦测 power mos 电流 方法 | ||
【主权项】:
一种侦测POWER MOS电流的方法,其特征是具体步骤如下:划分POWER MOS 的cell mos单元为两部分,作为功率MOS流过电流部分包含n1个cell,作为侦测电流的部分包含n2个cell,其中n1﹥﹥n2;n1和n2电流关系为In1=n1/n2*In2;将电阻和放大器集成封装在芯片里,将芯片中的放大器正负极输入端连接到POWER MOS电路中,放大器输出的电压信号测算n1与n2的关系,其中电压信号V= In1*n2/n1*R,得出In1的数据作为侦测POWER MOS电流的数据。
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