[发明专利]一种点阵列表面增强拉曼基底及制备方法有效

专利信息
申请号: 201510120872.6 申请日: 2015-03-18
公开(公告)号: CN104730059B 公开(公告)日: 2017-08-25
发明(设计)人: 刘坚;叶敏 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: G01N21/65 分类号: G01N21/65
代理公司: 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)32257 代理人: 杨明
地址: 215100 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种表面增强拉曼基底技术,尤其涉及一种点阵列表面增强拉曼基底及制备方法。制备方法依次包括以下步骤a、制备粒径均匀的铁氧化物颗粒;b、在铁氧化物颗粒外包覆金层,得到包金磁性纳米颗粒;c、制备出具有点阵列式微凹坑的硅片基底;d、所述硅片基底清洗后吹干;e、将所述硅片基底亲水处理;f、在磁铁的吸引作用下,将包金磁性纳米颗粒富集于微凹坑中;g、清洁硅片基底上外溢于微凹坑的包金磁性纳米颗粒,得到硬质表面增强拉曼基底。本发明的点阵列表面增强拉曼基底,由前述方法制得。本发明的点阵列表面增强拉曼基底制备方法,能制备出灵敏度较高、重复性较好、均一稳定性较高的活性基底。
搜索关键词: 一种 阵列 表面 增强 基底 制备 方法
【主权项】:
一种点阵列表面增强拉曼基底制备方法,其特征在于:依次包括以下步骤:a、制备粒径均匀的含铁、钴或镍的金属氧化物的磁性纳米颗粒;b、在磁性纳米颗粒外包覆金层,得到包金磁性纳米颗粒;c、制备出具有点阵列式微凹坑的硅片基底;d、所述硅片基底清洗后吹干;e、将所述硅片基底亲水处理;f、在磁铁的吸引作用下,将包金磁性纳米颗粒富集于微凹坑中;g、清洁硅片基底上外溢于微凹坑的包金磁性纳米颗粒,得到硬质表面增强拉曼基底,h、将固化前的水凝胶填充覆盖在硬质表面增强拉曼基底上;i、待水凝胶固化后,将其从硅片基底上剥离,得到软质表面增强拉曼基底。
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