[发明专利]场效应管电容‑电压特性测试电路的串联电阻测定方法

摘要

本发明公开了一种场效应晶体管电容‑电压特性测试电路中的串联电阻的计算测定方法，首先对金属氧化物半导体场效应晶体管进行不同频率下的电容‑电压特性测试；然后基于针对串联电阻效应的金属氧化物半导体场效应晶体管电容‑电压特性的修正模型，将数据带入模型中修正出实际电容‑电压曲线；最后将输入频率为时，某一扫描电压点对应的测试电容值和实际电容值带入串联电阻的公式，即可得到串联电阻的值。本发明计算方法中模型参数选取较灵活，可以选择积累区与耗尽区区间中的任意C‑V测试数据离散点计算串联电阻；也无需考虑电路中器件的结构参数，弥补了传统计算方法中对氧化层电容存在估算误差的缺陷，适用范围广泛。

主权项

一种场效应管电容‑电压特性测试电路的串联电阻测定方法，其特征在于，步骤1、分别获取待测金属氧化物半导体场效应晶体管栅极的两个不同输入电压信号频率为f1和f2所对应的待测金属氧化物半导体场效应晶体管的电容‑电压特性曲线和电容‑电压特性测试数据；步骤2、对步骤1获得的待测金属氧化物半导体场效应晶体管的电容‑电压特性曲线和电容‑电压特性测试数据进行修正，所述修正方法如下：以式1为修正模型，对电容‑电压特性测试数据中的电容进行修正，得到修正后的C‑V数据离散点，并据此绘制成修正后的电容‑电压特性曲线，所述修正模型为：其中C为金属氧化物半导体场效应晶体管实际电容，f1和f2分别为两次测试时所加电压信号的频率，Cm1是输入电压信号的频率为f1时所测得的电容，Cm2是输入电压信号的频率为f2所测得的电容；步骤3、根据修正后的C‑V数据离散点和电容‑电压特性曲线，计算并得到各输入电压信号频率为f的场效应管电容‑电压特性测试电路的串联电阻R。