[发明专利]整合性电子构装方法在审

专利信息
申请号: 201510121394.0 申请日: 2015-03-19
公开(公告)号: CN106033748A 公开(公告)日: 2016-10-19
发明(设计)人: 何当豪 申请(专利权)人: 何当豪
主分类号: H01L21/98 分类号: H01L21/98;H01L21/60
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 孙皓晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种整合性电子构装方法,其为利用覆晶式封装在晶圆级封装的应用,以结合芯片构装和多芯片系统构装、应用硅基板、开发整合型系统单芯片。
搜索关键词: 整合 电子 方法
【主权项】:
一种整合性电子构装方法,其特征在于,包括下列步骤:提供至少一主体芯片,包括一主体芯片上层和一主体芯片下层;安置一套第一组高熔点球栅阵列于该主体芯片下层;安置至少一组独立电讯指定区域于该主体芯片上层;安置一套第一组芯片于该主体芯片上层各指定区域正上方;安置一套第二组高熔点球栅阵列于该主体芯片上层各独立指定区域上,该主体芯片上层各指定区域的高熔点球栅阵列的正面朝上并与该第一组芯片的指定区域相对应;安置一套第一组高熔点球栅阵列于该第一组芯片的指定区域,该第一组芯片的高熔点球栅阵列正面朝下并与该主体芯片上层各指定区域的该第二组高熔点球栅阵列一对一相对应;利用回焊制作工艺链接该主体芯片上层球栅阵列与该第一组芯片各相对应球栅阵列,在回焊制作时,第一组高熔点锡球和第二组高熔点锡球不熔融,低熔点锡球熔融并冷却凝固,以接合该主体芯片上层的该第二组高熔点球栅阵列与该第一组芯片各相对应的该第一组高熔点球栅阵列,该高熔点球栅阵列包括高熔点锡球合金阵列或高熔点锡球阵列,高熔点锡球合金在高熔点锡球前端延伸生长一短幅度低熔点锡球接合区;及该主体芯片上层指定区域安置的多个高熔点锡球与该主体芯片下层相对应的多个高熔点锡球电性连接。
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