[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件。为了防止围绕晶体管的杂质区中的电流泄漏，在第二导电类型区的从第一电路区侧朝向第二电路区侧延伸的部分在平面图中与元件隔离膜彼此重叠的区域中，在平面图中从第一电路区侧朝向第二电路区侧交替设置场板和导电膜。此外，在这个区域中，场板的电位以及导电膜的电位从第一电路区朝向第二电路区降低。此外，至少一个导电膜的电位低于在平面图中在第二电路区侧与导电膜相邻的场板的电位。此外，这种导电膜覆盖至少一部分第二导电类型区，而在第二导电类型区的延伸方向上没有间隔。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底；第一电路区，所述第一电路区形成在所述衬底中，并且在所述第一电路区中形成有电源电位为第一电压的第一电路；隔离区，所述隔离区围绕所述第一电路区；第二电路区，所述第二电路区形成在所述衬底中并且在平面图中位于所述隔离区外部，并且在所述第二电路区中形成有电源电位为第二电压的第二电路，所述第二电压低于所述第一电压；以及晶体管，所述晶体管位于所述隔离区中并且将所述第二电路耦合至所述第一电路，并且所述晶体管的源极和漏极是第一导电类型的，所述隔离区包括：元件隔离膜，所述元件隔离膜形成在所述衬底中；第一场板，所述第一场板在平面图中与所述元件隔离膜重叠，并以重复方式沿所述第一电路区的边缘来设置；多个导电膜，所述多个导电膜设置在所述第一场板上方；第二导电类型区，所述第二导电类型区设置在所述衬底中，在平面图中与所述元件隔离膜重叠，并且位于所述晶体管周围；以及第一导电类型区，所述第一导电类型区隔着所述第二导电类型区与所述晶体管的源极或漏极相对地定位，其中在所述第二导电类型区的从第一电路区侧朝向第二电路区侧延伸的部分与形成在所述衬底中的所述元件隔离膜在平面中彼此重叠的区域中，在平面图中从所述第一电路区侧朝向所述第二电路区侧交替设置所述第一场板和所述导电膜，其中所述第一场板的电位和所述导电膜的电位从所述第一电路区朝向所述第二电路区降低，并且其中所述导电膜中的至少一个具有比在平面图中在所述第二电路区侧与所述导电膜相邻的所述第一场板的电位低的电位，并且覆盖所述第二导电类型区的至少一部分，而在所述第二导电类型区的延伸方向上没有间隔。