[发明专利]一种非对称超级电容器制备方法有效

专利信息
申请号: 201510122091.0 申请日: 2015-03-20
公开(公告)号: CN104681304B 公开(公告)日: 2017-08-25
发明(设计)人: 李刚;赵清华;张文栋;胡杰;桑胜波;马洋;李朋伟;菅傲群;段倩倩 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: H01G11/84 分类号: H01G11/84;H01G11/86;B81C1/00
代理公司: 太原科卫专利事务所(普通合伙)14100 代理人: 朱源
地址: 030024 *** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明涉及微机电系统技术领域,具体为一种非对称超级电容器制备方法,包括如下步骤先准备两片相同的清洁烘干后的硅片基底,将其中一硅片基底的表面氧化形成二氧化硅绝缘层,并沉积一层金属钛,然后阳极氧化形成有序的TiO2纳米管,在TiO2纳米管内沉积NiO,制备得到TiO2纳米管电极;在另一硅片基底上均匀旋涂SU‑8胶,然后对此SU‑8胶进行光刻处理,形成六面体柱状阵列结构,将此阵列结构进行炭化,制备得到炭化电极,最后将TiO2纳米管电极和炭化电极以PP膜隔开,并填充电解质组装成非对称超级电容器。本发明综合利用了法拉第准电容原理和双电层原理,所制备的两个电极均能形成多孔结构,相比传统的基于双电层原理的超级电容器更大地提高了比电容。
搜索关键词: 一种 对称 超级 电容器 制备 方法
【主权项】:
一种非对称超级电容器制备方法,其特征在于包括以下步骤:S1:选取两片硅片作为基底,清洗硅片基底并烘干;S2:将清洗烘干后的硅片基底进行氧化,在硅片基底表面形成二氧化硅氧化膜作为电极的绝缘层;S3:在形成绝缘层的其中一片硅片基底的表面通过沉积形成一层金属钛层;S4:将S3中形成的钛层放入阳极氧化装置中进行氧化,形成TiO2纳米管;S5:在形成的TiO2纳米管内沉积NiO,形成TiO2纳米管电极;S6:在S2中得到的表面形成绝缘层的另一硅片上均匀旋涂光刻胶;S7:将旋涂好的光刻胶进行前烘、曝光、后烘、显影处理,形成六面体柱状阵列;S8:将六面体柱状阵列放入炭化炉中进行炭化,得到炭化电极;S9:将活性物质电极与炭化电极通过PP膜隔开,并注入KOH电解质组装成非对称超级电容器。
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