[发明专利]致密原位Si4N3-SiC复合材料的制备方法

摘要

发明公开了一种致密原位Si4N3‑SiC复合材料的制备方法，它的步骤如下（1）将硅粉和石油焦粉末以质量比2‑61均匀混合，加入适量酚醛树脂，压制成型，烘干，得到坯料；（2）将坯料移入真空炉中，于1310‑1410℃的条件下，在氮气氛下烧结0.5‑1.0 hr，得到半烧结制品；（3）将半烧结制品再次移入铺有硅粉的真空烧结炉中，在1400‑1450℃的条件下保温0.5‑1.0hr；然后升温至1550‑1650℃氮气氛下保温0.5‑1.0 hr，得到致密原位Si4N3‑SiC复合材料。本发明利用50‑200目硅粉和石油焦粉末和少量酚醛树脂为初始原料，通过坯料低温氮化法和高温反应熔渗法获得原位Si4N3‑SiC复合材料，孔隙率小于10%。该法形成复合材料具有界面清洁，氧含量低，密度高，相组成可以任意变化的特点。该法工艺简单，可工业规模生产。

主权项

一种致密原位Si4N3‑SiC复合材料的制备方法，其特征在于，它的步骤如下：（1）将硅粉和石油焦粉末以质量比2‑6:1均匀混合，加入适量酚醛树脂，酚醛树脂的加入质量为石油焦粉末质量的10%‑50%，压制成型，烘干，得到坯料；（2）将坯料移入真空炉中，于1310‑1410℃的条件下，在氮气氛下烧结0.5‑1.0 hr，得到半烧结制品；（3）将半烧结制品再次移入铺有硅粉的真空烧结炉中，硅粉的加入质量为石油焦粉末质量的1‑2倍，在1400‑1450℃的条件下保温0.5‑1.0hr；然后升温至1550‑1650℃氮气氛下保温0.5‑1.0 hr，得到致密原位Si4N3‑SiC复合材料。