[发明专利]基于硅基纳米线的太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510124872.3 申请日: 2015-03-20
公开(公告)号: CN104716209A 公开(公告)日: 2015-06-17
发明(设计)人: 张治;何凤琴;卢刚;钱俊;郑璐;邓薇 申请(专利权)人: 黄河水电光伏产业技术有限公司
主分类号: H01L31/0236 分类号: H01L31/0236;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰
地址: 810007 *** 国省代码: 青海;63
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摘要: 发明公开了一种基于硅基纳米线的太阳能电池,包括依次叠层连接的背电极、硅衬底、扩散结构层、纳米线阵列、钝化层以及正面电极;其中,所述硅衬底具有一金字塔型绒面,所述扩散结构层位于所述金字塔型绒面上,所述扩散结构层与所述硅衬底形成PN结;所述纳米线阵列通过在所述金字塔型绒面上刻蚀形成,每一纳米线包括掺杂类型相同的底部纳米线和顶部纳米线,其中,顶部纳米线比底部纳米线具有更高的掺杂浓度。本发明还公开了如上所述太阳能电池的制备方法。该太阳能电池中的纳米线阵列具有分级结构,可获得较低反射率的电池,同时可有效降低纳米线长度,有利于钝化层覆盖,降低光生载流子表面复合概率。
搜索关键词: 基于 纳米 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种基于硅基纳米线的太阳能电池,包括依次叠层连接的背电极、硅衬底、扩散结构层、纳米线阵列、钝化层以及正面电极;其特征在于,所述硅衬底具有一金字塔型绒面,所述扩散结构层位于所述金字塔型绒面上,所述扩散结构层与所述硅衬底形成PN结;所述纳米线阵列通过在所述金字塔型绒面上刻蚀形成,每一纳米线包括掺杂类型相同的底部纳米线和顶部纳米线,其中,顶部纳米线比底部纳米线具有更高的掺杂浓度。
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