[发明专利]基于硅基纳米线的太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201510124872.3 | 申请日: | 2015-03-20 |
公开(公告)号: | CN104716209A | 公开(公告)日: | 2015-06-17 |
发明(设计)人: | 张治;何凤琴;卢刚;钱俊;郑璐;邓薇 | 申请(专利权)人: | 黄河水电光伏产业技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 810007 *** | 国省代码: | 青海;63 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于硅基纳米线的太阳能电池,包括依次叠层连接的背电极、硅衬底、扩散结构层、纳米线阵列、钝化层以及正面电极;其中,所述硅衬底具有一金字塔型绒面,所述扩散结构层位于所述金字塔型绒面上,所述扩散结构层与所述硅衬底形成PN结;所述纳米线阵列通过在所述金字塔型绒面上刻蚀形成,每一纳米线包括掺杂类型相同的底部纳米线和顶部纳米线,其中,顶部纳米线比底部纳米线具有更高的掺杂浓度。本发明还公开了如上所述太阳能电池的制备方法。该太阳能电池中的纳米线阵列具有分级结构,可获得较低反射率的电池,同时可有效降低纳米线长度,有利于钝化层覆盖,降低光生载流子表面复合概率。 | ||
搜索关键词: | 基于 纳米 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于硅基纳米线的太阳能电池,包括依次叠层连接的背电极、硅衬底、扩散结构层、纳米线阵列、钝化层以及正面电极;其特征在于,所述硅衬底具有一金字塔型绒面,所述扩散结构层位于所述金字塔型绒面上,所述扩散结构层与所述硅衬底形成PN结;所述纳米线阵列通过在所述金字塔型绒面上刻蚀形成,每一纳米线包括掺杂类型相同的底部纳米线和顶部纳米线,其中,顶部纳米线比底部纳米线具有更高的掺杂浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的