[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板有效
| 申请号： | 201510125633.X | 申请日： | 2015-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN104659109B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 李小龙;刘政;陆小勇;龙春平;张慧娟 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/04;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京风雅颂专利代理有限公司11403 | 代理人： | 李阳,李浩 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板，该薄膜晶体管包括设置在衬底上的有源层，所述有源层包括中间沟道区，分别设置在所述中间沟道区外侧的第一高阻区和第二高阻区，以及设置在所述第一高阻区外侧的源区和设置在所述第二高阻区外侧的漏区；其中，所述有源层的基体材料为金刚石单晶。该薄膜晶体管通过在有源层的中间沟道区外侧设置高阻区，降低了载流子的迁移率，有效抑制了单晶金刚石薄膜晶体管的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：设置在衬底上的有源层，所述有源层包括中间沟道区，分别设置在所述中间沟道区外侧的第一高阻区和第二高阻区，以及设置在所述第一高阻区外侧的源区和设置在所述第二高阻区外侧的漏区；其中，所述有源层的基体材料为金刚石单晶；其中，所述中间沟道区、源区和漏区的基体材料为(111)面金刚石单晶，所述第一高阻区和第二高阻区的基体材料为(100)面金刚石单晶。
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