[发明专利]一种高介电常数的Bi4Ti3‑xFexO12铁电薄膜的制备方法有效
申请号: | 201510125712.0 | 申请日: | 2015-03-20 |
公开(公告)号: | CN104743891B | 公开(公告)日: | 2017-08-01 |
发明(设计)人: | 夏傲;谈国强 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | C03C17/22 | 分类号: | C03C17/22 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所61215 | 代理人: | 段俊涛 |
地址: | 710021 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 一种高介电常数的Bi4Ti3‑xFexO12铁电薄膜的制备方法,将乙酸酐加入装有Bi(NO3)3·5H2O和Fe(NO3)3·9H2O的烧杯中溶解,再加入Ti(OC4H9)4和乙二醇甲醚,磁力搅拌得到混合均匀的前驱液,前驱液中Bi3+、Ti4+和Fe3+的总浓度为0.1mol/L,Bi3+、Ti4+和Fe3+的摩尔比为4︰(3‑x)︰x,其中x=0.01~0.10;FTO玻璃基板旋转过程中将前驱液匀速滴在FTO玻璃基板上,停止旋转后取下FTO玻璃基板烘烤使有机物挥发,得到负载有薄膜的FTO玻璃基板,然后放入电炉中退火,直到薄膜厚度达到要求,本发明采用溶胶‑凝胶技术,所制备薄膜中Fe3+取代部分Ti4+的位置,从而生成Bi4Ti3‑xFexO12物相,Fe3+的掺杂调整了Bi4Ti3O12的晶体结构,使得薄膜的介电常数显著提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 介电常数 bi sub ti fe 12 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高介电常数的Bi4Ti3‑xFexO12铁电薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:将FTO导电玻璃基板依次在含有清洁剂的去离子水、丙酮和无水乙醇中超声洗涤10min,洁净的FTO基板封存于无水乙醇中备用;步骤2:将5ml乙酸酐加入装有Bi(NO3)3·5H2O和Fe(NO3)3·9H2O的烧杯中,静置1h使原料溶解;将该混合溶液加入装有Ti(OC4H9)4的烧杯中,搅拌均匀;再向溶液中加入15ml乙二醇甲醚,继续磁力搅拌5~8h,得到混合均匀的前驱液;前驱液中Bi3+、Ti4+和Fe3+的总浓度为0.1mol/L,Bi3+、Ti4+和Fe3+的摩尔比为4︰(3‑x)︰x,其中x=0.01~0.10;步骤3:将浸泡在无水乙醇的FTO玻璃基板用去离子水冲洗,氮气吹干,紫外线照射40min,再用透明胶带将FTO玻璃基板固定在匀胶机中心;步骤4:打开匀胶机开关,使FTO玻璃基板旋转,过程中将前驱液匀速滴在FTO玻璃基板上,停止旋转后取下FTO玻璃基板放在250℃烤胶机上烘烤5min,使有机物挥发得到负载有薄膜的FTO玻璃基板;步骤5:将所得负载有薄膜的FTO玻璃基板放入电炉中,580~620℃下退火5~30min;步骤6:重复步骤4~5,直到薄膜厚度达到要求。
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