[发明专利]一种原位三层膜边缘覆盖超导约瑟夫森结制备工艺有效
| 申请号： | 201510125770.3 | 申请日： | 2015-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN104701451B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 李浩;刘其春;刘建设;李铁夫;陈炜 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所61215 | 代理人： | 贾玉健 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种原位三层膜边缘覆盖超导约瑟夫森结制备工艺，工艺流程由原位生长三层膜、生长引线层、光刻和刻蚀定义结区三部分组成，Nb约瑟夫森结和Al约瑟夫森结的具体步骤和细节有所不同，最终可得到没有二氧化硅、有Al保护的Nb约瑟夫森结，或者没有多余电极、没有多余绝缘层的Al约瑟夫森结，本发明具有步骤简单、质量高、可规模化等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原位 三层 边缘 覆盖 超导 约瑟夫 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种原位三层膜边缘覆盖超导约瑟夫森结制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：(1)在蓝宝石或者表面经过热氧化的硅片衬底上进行双层胶光刻，形成下切；(2)利用直流磁控溅射原位生长Nb/Al‑AlOx/Nb三层膜，然后剥离光刻胶，最下面一层Nb膜完全地被上面的Nb/Al‑AlOx两层膜包裹；(3)再次进行双层胶光刻形成下切，Ar等离子原位去除表面寄生NbaOb，然后溅射Nb/Al双层膜作为上电极引线，Nb/Al双层膜中Nb膜被其Al膜包裹，Nb/Al双层膜仅覆盖Nb/Al‑AlOx/Nb三层膜的部分上表面和边缘；(4)用SF6对Nb/Al‑AlOx/Nb三层膜中未被Nb/Al双层膜覆盖的最上层Nb膜进行反应离子刻蚀，此时Nb/Al‑AlOx/Nb三层膜中的Al作为阻挡层和刻蚀终止层不被刻蚀，从而得到没有二氧化硅、有Al保护的Nb约瑟夫森结。
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