[发明专利]基准电压源电路有效
申请号: | 201510125783.0 | 申请日: | 2015-03-20 |
公开(公告)号: | CN106033227B | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 潘光燃;文燕;高振杰;马万里;石金成 | 申请(专利权)人: | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 陶敏,黄健 |
地址: | 100871 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种基准电压源电路。该基准电压源电路包括第一稳压结构D1、第二稳压结构D2、MOS管、运算放大器、第一电阻R1和第二电阻R2;第一稳压结构D1的阳极接地,第一稳压结构D1的阴极与第一电阻R1的一端相连;第二稳压结构D2的阳极与第二电阻R2的一端相连;第二稳压结构D2的阴极与MOS管的源极或漏极相连,MOS管的漏极或源极接电源;MOS管的栅极接运算放大器的输出端,运算放大器的两个输入端分别与第一稳压结构D1的阴极和第二稳压结构D2的阴极相连。本发明实施例通过设计预定物理尺寸的第一稳压结构D1和第二稳压结构D2便可提高基准电压的精度以及基准电压值的灵活性。 | ||
搜索关键词: | 基准 电压 电路 | ||
【主权项】:
一种基准电压源电路,其特征在于,包括:第一稳压结构D1、第二稳压结构D2、金属氧化物半导体场效应晶体MOS管、运算放大器、第一电阻R1和第二电阻R2;其中,所述第一稳压结构D1的阳极接地,所述第一稳压结构D1的阴极与所述第一电阻R1的一端相连,所述第一电阻R1的另一端接电源;所述第二稳压结构D2的阳极与所述第二电阻R2的一端相连,所述第二电阻R2的另一端接地;所述第二稳压结构D2的阴极与所述MOS管的源极相连,所述MOS管的漏极接电源,或者所述第二稳压结构D2的阴极与所述MOS管的漏极相连,所述MOS管的源极接电源;所述MOS管的栅极接所述运算放大器的输出端,所述运算放大器的两个输入端分别与所述第一稳压结构D1的阴极和所述第二稳压结构D2的阴极相连,且所述运算放大器使所述第一稳压结构D1的阴极的电势与所述第二稳压结构D2的阴极的电势相等;其中,所述第二稳压结构D2的阳极的电势与地电势的差值为所述基准电压源电路产生的基准电压。
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