[发明专利]形成多鳍结构场发射晶体管的方法在审
| 申请号： | 201510125943.1 | 申请日： | 2015-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN104701184A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种形成多鳍结构场发射晶体管的方法，包括：依次形成绝缘体层、硅层和第一硬掩膜层；形成第一硬掩膜层的掩膜图案；沉积第二硬掩膜层，并且对第二硬掩膜层进行刻蚀以便在掩膜图案的侧壁上形成掩膜侧壁；利用掩膜图案和掩膜侧壁对硅层进行第一次刻蚀，从而在掩膜侧壁外侧形成硅层中的凹槽；去除掩膜图案；利用掩膜侧壁对硅层进行第二次刻蚀，从而完全去除凹槽下方的硅层，并且在与掩膜图案相对应的位置形成鳍结构凹槽，从而获取硅层经过第一次刻蚀和第二次刻蚀之后得到的U型结构。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 结构 发射 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
一种形成多鳍结构场发射晶体管的方法，其特征在于包括：依次形成绝缘体层、硅层和第一硬掩膜层；形成第一硬掩膜层的掩膜图案；沉积第二硬掩膜层，并且对第二硬掩膜层进行刻蚀以便在掩膜图案的侧壁上形成掩膜侧壁；利用掩膜图案和掩膜侧壁对硅层进行第一次刻蚀，从而在掩膜侧壁外侧形成硅层中的凹槽；去除掩膜图案；利用掩膜侧壁对硅层进行第二次刻蚀，从而完全去除凹槽下方的硅层，并且在与掩膜图案相对应的位置形成鳍结构凹槽，从而获取硅层经过第一次刻蚀和第二次刻蚀之后得到的U型结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
