[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201510125951.6 | 申请日： | 2015-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN106033720B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 何永根;禹国宾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；采用氧化处理在所述基底表面形成界面材料层；对所述界面材料层进行含氧氛围下的退火处理形成界面层，所述退火处理的温度高于所述氧化工艺的温度；在所述界面层表面形成介质层。采用上述方法可以提高形成的半导体结构中界面层的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的层间介质层；位于所述层间介质层内的凹槽，所述凹槽暴露出部分半导体衬底的表面；位于所述凹槽两侧的半导体衬底内的源漏极；在所述凹槽底部表面的半导体衬底表面形成界面材料层；采用氧化处理在所述基底表面形成界面材料层；对所述界面材料层进行含氧氛围下的退火处理形成界面层，所述退火处理的温度高于氧化工艺的温度，含氧氛围中的氧原子与界面层内的硅反应，形成饱和的Si‑O键，以修复界面材料层内的不饱和键，其中，含氧气体与基底反应形成SiO2的速率与基底、界面材料层反应消耗SiO2的速率达到平衡，在该退火处理的过程中界面层的厚度不发生变化；在所述界面层表面形成介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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