[发明专利]一种MEMS器件的制作方法在审
| 申请号： | 201510125952.0 | 申请日： | 2015-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN106032268A | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 王贤超;郭亮良;李卫刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MEMS器件的制作方法，包括以下步骤：S1：提供衬底，在所述衬底上形成第一掩膜层；S2：形成贯穿所述第一掩膜层的第一开口；S3：在所述第一掩膜层上以及所述第一开口内形成第二掩膜层；并形成贯穿所述第二掩膜层的第二开口；所述第二开口完全暴露所述第一开口；S4：以所述第一掩膜层及第二掩膜层为掩膜对所述衬底进行刻蚀，在所述衬底中形成台阶式开口。本发明通过一次刻蚀即可得到台阶式开口，不仅减少了工艺步骤，同时避免了深腔曝光，从而可以有效提高产品良率，并有效降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供衬底，在所述衬底上形成第一掩膜层；S2：形成贯穿所述第一掩膜层的第一开口；S3：在所述第一掩膜层上以及所述第一开口内形成第二掩膜层；并形成贯穿所述第二掩膜层的第二开口；所述第二开口完全暴露所述第一开口；S4：以所述第一掩膜层及第二掩膜层为掩膜对所述衬底进行刻蚀，在所述衬底中形成台阶式开口。
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