[发明专利]针对意外翻转而硬化的存储器装置

摘要

SRAM基本存储器单元(CELSR)的pMOS晶体管(P1、P2)具有电容器(C1、C2)，其第一电极(ELC1)由对应晶体管的栅极形成，其第二电极(ELC2)例如连接至对应反相器的输出端。

主权项

1.一种存储器装置，包括如下类型的至少一个存储器单元(CEL)，该类型存储器单元包括拥有两个交叉耦合反相器的SRAM基本存储器单元(CELSR)以及至少一个非易失性基本存储器单元(CELNV)，所述SRAM基本存储器单元和所述至少一个非易失性基本存储器单元耦合在一起，其特征在于，所述至少一个非易失性基本存储器单元包括至少一个浮置栅极晶体管(E1)，以及所述SRAM基本存储器单元(CELSR)包括至少两个集成结构(STR)，所述至少两个集成结构中的每个集成结构包括具有第一栅极电介质的MOS晶体管(TR)以及电容器(C)，所述电容器(C)具有由所述晶体管(TR)的栅极区域(G)形成的第一电极(ELC1)和位于所述栅极电极上方并且由位于所述第一栅极电介质上方的第二栅极电介质(OX)而与所述第一电极(ELC1)分离的第二电极(ELC2)，所述至少两个集成结构中的每个集成结构还包括与所述栅极区域(G)接触的第一导电接触区域(RGC1)以及与所述第二电极(ELC2)接触的第二导电接触区域(RGC2)，两个接触区域并未电连接，所述集成结构的MOS晶体管分别形成了两个反相器的至少两个晶体管(P1、P2)，每个第二电极(ELC2)旨在连接至电势，所述SRAM基本存储器单元的其他晶体管包括由辅助区域所顶覆的栅极区域，所述辅助区域位于与所述集成结构的第二电极相同的层中并且由栅极电介质(OX12)与所述栅极区域分离。