[发明专利]一种用于氮化硅陶瓷抛光的抛光粉制备方法有效
| 申请号： | 201510126391.6 | 申请日： | 2015-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN104694017B | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 李慧芝;庄海燕;孙旦子 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250022 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化硅陶瓷抛光粉的制备方法，特征在于该方法具有以下工艺步骤在反应器中，按质量百分浓度加入8%~11%的氯化铈，28%~38%的三氧化铬，2%~5%十二烷基苯磺酸钠溶解于水中，再加入10%~20%的三氧化二铝，32%~45%的氮化硼，搅拌呈浆液，再将3%~8%草酸溶解于水后加入，各组分之和为百分之百，水不计入组分，常压下，搅拌，加入热85℃，反应18~24h，使氯化铈生成颗粒均匀的草酸铈，固液分离，在1100℃~1150℃焙烧5~8h，冷却后，经气流粉碎，即得氮化硅陶瓷抛光粉。该抛光粉具有研磨硬度高、粉体抛光效果好，光泽度，无划痕，平整度高，粉的用量少。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 氮化 陶瓷 抛光 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化硅陶瓷抛光粉的制备方法，特征在于该方法具有以下工艺步骤：在反应器中，按质量百分比加入8％～11％的氯化铈，28％～38％的三氧化铬，2％～5％十二烷基苯磺酸钠溶解于水中，再加入10％～20％的三氧化二铝，32％～45％的金刚型氮化硼，搅拌呈浆液，再将3％～8％草酸溶解于水后加入，各组分之和为百分之百，水不计入组分，常压下，搅拌，加热至85℃，反应18～24h，使氯化铈生成颗粒均匀的草酸铈，固液分离，在1100℃～1150℃焙烧5～8h，冷却后，经气流粉碎，即得氮化硅陶瓷抛光粉，所得到的氮化硅陶瓷抛光粉的粒径为0.2～2.0μm的范围内。
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