[发明专利]形成浅槽隔离的方法有效
| 申请号： | 201510126617.2 | 申请日： | 2015-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN104716083B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇;周晓强;周海锋;桑宁波;李润领 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种形成浅槽隔离的方法，包括：利用掩模在硅片的NMOS区域和PMOS区域成第一凹槽；在NMOS区域的第一凹槽和PMOS区域的第一凹槽中填充第一氧化物；在硅片表面布置光阻，并且去除PMOS区域上的光阻；对PMOS区域的第一凹槽中的第一氧化物进行回蚀以在PMOS区域中形成第二凹槽；去除NMOS区域上的光阻；对NMOS区域的第一凹槽和PMOS区域的第一凹槽中的第一氧化物进行回蚀，以在第一凹槽中形成第三凹槽，并且使得第二凹槽深度变深；在第二凹槽和第三凹槽中填充第二氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 光阻 浅槽隔离 回蚀 去除 填充 硅片表面 硅片 掩模 | ||
【主权项】：
1.一种形成浅槽隔离的方法，其特征在于包括：在硅片的NMOS区域和PMOS区域成第一凹槽；在NMOS区域的第一凹槽和PMOS区域的第一凹槽中填充第一氧化物；在硅片表面布置光阻，并且去除PMOS区域上的光阻；对PMOS区域的第一凹槽中的第一氧化物进行回蚀以在PMOS区域中形成第二凹槽；去除NMOS区域上的光阻；对NMOS区域的第一凹槽和PMOS区域的第一凹槽中的第一氧化物进行回蚀，以在第一凹槽中形成第三凹槽，并且使得第二凹槽深度变深；在第二凹槽和第三凹槽中填充第二氧化物；所述第一氧化物为具有压应力的氧化物；所述第二氧化物为具有拉应力的氧化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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