[发明专利]同时制作晶胞区与周围区的半导体元件的方法

摘要

本发明提供一种同时制作晶胞区与周围区的半导体元件的方法，包括在衬底上依序形成栅氧化层、第一导体结构层、栅间介电层与第二导体结构层，并在第二导体结构层上形成掩模结构，再以此掩模结构为蚀刻掩模，去除晶胞区与周围区的该第二导体结构层，并以栅间介电层作为蚀刻终止层。然后，先用保护层覆盖周围区内的栅间介电层，再蚀刻晶胞区内露出的栅间介电层与第一导体结构层。之后，再对周围区的栅间介电层与第一导体结构层进行蚀刻，并以栅氧化层作为蚀刻终止层。本发明能减少周围区的氧化层损害风险。

主权项

1.一种同时制作晶胞区与周围区的半导体元件的方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有至少一晶胞区与至少一周围区；在所述衬底上依序形成栅氧化层、第一导体结构层、栅间介电层与第二导体结构层；在所述第二导体结构层上形成盖层；在所述晶胞区的所述盖层上形成第一图案掩模层；在所述衬底上全面性地形成第一材料层并覆盖所述第一图案掩模层；在所述晶胞区与所述周围区的所述第一材料层上形成第二图案掩模层；利用所述第二图案掩模层作为蚀刻掩模，蚀刻所述第一材料层，以使所述第二图案掩模层的图案转移至所述材料层并露出所述第一图案掩模层；利用所述第一图案掩模层与所述第二图案掩模层作为蚀刻掩模，蚀刻所述盖层，以使所述第一图案掩模层与所述第二图案掩模层的图案转移至所述盖层；利用所述盖层作为蚀刻掩模，蚀刻所述晶胞区与所述周围区的所述第二导体结构层，并以所述栅间介电层作为蚀刻终止层；在所述周围区形成覆盖所述栅间介电层的第一保护层，并露出所述晶胞区的所述栅间介电层；蚀刻所述晶胞区内露出的所述栅间介电层与所述第一导体结构层，并以所述栅氧化层作为蚀刻终止层；进行离子注入工艺，以于所述晶胞区的所述衬底内形成源极与漏极；去除所述第一保护层；在所述晶胞区形成覆盖所述栅氧化层、所述第一导体结构层、所述栅间介电层与所述第二导体结构层的第二保护层，并露出所述周围区的所述栅间介电层；以及蚀刻所述周围区内露出的所述栅间介电层与所述第一导体结构层，并以所述栅氧化层作为蚀刻终止层。