[发明专利]剥离装置及半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201510127031.8 申请日: 2007-09-29
公开(公告)号: CN104795361B 公开(公告)日: 2018-08-17
发明(设计)人: 江口晋吾;门马洋平;谷敦弘;广末美佐子;桥本健一;保坂泰靖 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/67;B32B43/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 姜冰;姜甜
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本公开的发明名称为“剥离装置及半导体装置的制造方法”。本发明涉及剥离装置及半导体装置的制造方法,其目的在于当从用于制造半导体元件的衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时,消除随着剥离而产生的静电的放电。使形成有元件形成层及剥离层的衬底和薄膜经过加压用滚筒和加压用滚筒之间的空隙。在加压用滚筒和加压用滚筒之间,薄膜贴附到元件形成层。在加压用滚筒的回收薄膜一侧,薄膜沿着加压用滚筒的曲面而弯曲,从而在元件形成层和剥离层之间产生剥离,以元件形成层转移在薄膜。向由剥离而产生的元件形成层和剥离层之间的空隙通过喷嘴逐步供应液体如纯水等,从而产生在元件形成层及剥离层的表面上的电荷由液体扩散。
搜索关键词: 元件形成层 滚筒 加压 剥离层 薄膜 半导体装置 剥离装置 半导体元件 剥离 制造 衬底剥离 供应液体 液体扩散 电荷 静电 喷嘴 薄膜贴 衬底 放电 回收
【主权项】:
1.一种剥离方法,包括:通过第一传送带移动衬底,在所述衬底上形成了元件形成层;通过供应用滚筒来供应膜;通过第一滚筒将所述膜贴附到所述元件形成层;通过第二滚筒移动所述膜;通过第二传送带移动所述衬底,所述第二传送带的一部分在水槽中的液体中;以相对所述液体的顶表面的倾斜角度将所述衬底插入所述水槽中的所述液体中;通过回收用滚筒从所述衬底倾斜向上拉升所述膜;以及在所述水槽中的所述液体中从所述衬底剥离所述元件形成层,使得所述元件形成层转移到所述膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510127031.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top