[发明专利]3D闪存的制造方法

摘要

本发明提出了一种3D闪存的制造方法，通过沉积若干层第一介质层、第二介质层和第三介质薄膜组，以及对第三介质层的刻蚀等工艺形成自对准的字线的通孔连线，无需通过形成阶梯状的通孔连线引出字线，减少了光罩使用的层数，降低了生产成本，此外通过对第三介质层沉积与刻蚀能够调整其厚度，从而调整字线与字线之间CD的大小，控制字线与字线之间的RC延迟与噪声。

主权项

一种3D闪存的制造方法，其特征在于，包括步骤：步骤一：提供基底，所述基底上设有存储单元；步骤二：依次形成第一介质层、第二介质层和第三介质层，所述第一介质层、第二介质层和第三介质层覆盖所述基底的上表面以及存储单元的侧壁和表面；步骤三：刻蚀所述第三介质层，暴露出部分第二介质层，仅保留位于所述存储单元的侧壁上的第三介质层；步骤四：重复步骤二依次形成第一介质层、第二介质层和第三介质层，所述第一介质层、第二介质层和第三介质层覆盖步骤三中暴露出的第二介质层上；步骤五：依次重复步骤三和步骤四，直至形成若干层第一介质层、第二介质层和第三介质层；步骤六：对所述若干层第一介质层、第二介质层和第三介质层进行化学机械平坦化；步骤七：形成沟道及通孔连线。