[发明专利]半导体结构及其制作工艺

摘要

本发明公开一种半导体结构及其制作工艺，其制作工艺包含有下述步骤。首先，形成一牺牲层于一基底上。接着，蚀刻牺牲层以及基底，以形成一沟槽于牺牲层及基底中。接续，填入一第一绝缘材料于沟槽，因而形成一第一绝缘结构。继之，图案化牺牲层，以形成多个牺牲图案。续之，形成多个间隙壁分别于此些牺牲图案侧边。而后，移除此些牺牲图案。之后，将此些间隙壁的布局转移至基底，以形成多个鳍状结构于基底中。然后，移除此些间隙壁。

主权项

一种半导体制作工艺，包含有：形成一牺牲层于一基底上；蚀刻该牺牲层以及该基底，以形成一第一沟槽于该牺牲层及该基底中；填入一第一绝缘材料于该第一沟槽，因而形成一第一绝缘结构；图案化该牺牲层，以形成多个牺牲图案；形成多个间隙壁分别于该些牺牲图案侧边；移除该些牺牲图案；将该些间隙壁的布局转移至该基底，以形成多个鳍状结构于该基底中；以及移除该些间隙壁。