[发明专利]在FinFET半导体装置上形成绝缘材料的方法及所得到的装置有效
| 申请号： | 201510127605.1 | 申请日： | 2015-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN104952733B | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 谢瑞龙;蔡秀雨;程慷果;A·卡基菲鲁兹 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及在FinFET半导体装置上形成绝缘材料的方法及所得到的装置，公开一种方法包括，除其他之外，形成初始鳍片结构，用蚀刻停止材料覆盖该初始鳍片结构的顶部表面及部分侧壁，形成牺牲栅极结构于该初始鳍片结构之上及周围，形成侧壁间隔件相邻于该牺牲栅极结构，进行至少一道工艺运作以去除该牺牲栅极结构从而定义替代栅极孔，进行至少一道蚀刻工艺通过该替代栅极孔以去除部分该初始鳍片结构从而定义最终鳍片结构及位于该最终鳍片结构下方的通道孔，以及用绝缘材料实质填充该通道孔。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 半导体 装置 形成 绝缘材料 方法 得到 | ||
【主权项】：
1.一种形成鳍式场效晶体管装置的方法，该方法包括:由半导体基板材料形成初始鳍片结构，该初始鳍片结构具有侧壁；用蚀刻停止材料覆盖该初始鳍片结构的顶部表面及部分该侧壁；该蚀刻停止材料成形后，形成牺牲栅极结构于该初始鳍片结构之上及周围；形成侧壁间隔件相邻于该牺牲栅极结构；进行至少一道工艺运作以去除该牺牲栅极结构从而定义替代栅极孔，其中当该牺牲栅极结构被去除时，该初始鳍片结构上的该蚀刻停止材料依然位于该初始鳍片结构上；进行至少一道蚀刻工艺通过该替代栅极孔以去除位于该替代栅极孔之下的该初始鳍片结构未被该蚀刻停止材料覆盖的部分，以从而定义最终鳍片结构及位于该最终鳍片结构下方的通道孔；以及用绝缘材料实质填充该通道孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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