[发明专利]一种银岛材料的制备方法有效
申请号: | 201510127809.5 | 申请日: | 2015-03-23 |
公开(公告)号: | CN106148925B | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | 李敏;马磊;王娇娇;赵宇亮 | 申请(专利权)人: | 中国科学院高能物理研究所 |
主分类号: | C23C18/42 | 分类号: | C23C18/42;C23C18/18 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 于宝庆;吴娅妮 |
地址: | 100049 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种银岛材料的制备方法,包括,1)将硅片依次经过食人鱼溶液或浓碱液及巯基硅烷的处理后,得到改性的硅片;2)将醛类化合物加入银氨溶液中反应,并将所述改性的硅片加入上述反应体系中,反应产物银沉积于所述硅片的表面,制得所述银岛材料。本发明的银岛材料的制备方法,通过在形成银岛膜之前对硅片表面进行改性,可将银岛膜牢牢固定于硅片表面,避免了其在后续应用处理过程中的脱落;本发明的方法不仅能将银岛膜的厚度控制在100nm以下,且所制备的银岛膜尺寸稳定,对SERS信号具有较强的感应能力。 | ||
搜索关键词: | 一种 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种银岛材料的制备方法,包括,步骤1)将硅片依次经过食人鱼溶液或浓碱液及巯基硅烷的处理后,得到改性的硅片;步骤2)将戊二醛加入浓度为0.05mol/L的银氨溶液中反应,并将所述改性的硅片加入上述反应体系中,于85~98℃下反应2~10min,反应产物银沉积于所述硅片的表面,制得所述银岛材料。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
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