[发明专利]剥离装置及利用该装置剥离芯片封装体表面盖层的方法在审
申请号: | 201510127933.1 | 申请日: | 2015-03-23 |
公开(公告)号: | CN106158691A | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 何彦仕;刘沧宇;林佳升;张义民 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台湾桃园市中*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种剥离装置及利用该装置剥离芯片封装体表面盖层的方法。剥离装置包括:真空吸嘴头,包括具有相对上、下表面的吸盘、贯穿吸盘的上、下表面的真空孔及耦接真空孔和真空泵的中空真空管;平台,位于真空吸嘴头下方且与吸盘对准,使堆叠结构固定于平台上;控制机构,耦接真空吸嘴头,使真空吸嘴头相对于平台被举升或下降;以及第一刀具,包括第一本体及连接第一本体的第一刀刃部。其中盖层被吸盘下表面抵压住并因真孔泵对中空吸管抽真空而被吸附后,第一刀刃部经堆叠结构的第一侧壁切入位于堆叠结构的基底与盖层间的界面层,并通过真空吸取头的吸力及真空吸嘴头被举升所产生的举升力,使得基底与盖层被剥离。 | ||
搜索关键词: | 剥离 装置 利用 芯片 封装 体表 盖层 方法 | ||
【主权项】:
一种剥离装置,用于剥离包括一基底和一盖层所构成的堆叠结构,其特征在于,包括:一真空吸嘴头,包括一具有相对的上表面及下表面的吸盘、一贯穿该吸盘的该上表面及该下表面的真空孔及一耦接该真空孔和一真空泵的中空真空管;一平台,位于该真空吸嘴头下方,且与该吸盘实质对准,使得该堆叠结构能够固定于该平台上;一控制机构,耦接至该真空吸嘴头,使得该真空吸嘴头能够相对于该平台被举升或下降;以及一第一刀具,包括一第一本体及一连接该第一本体的第一刀刃部;其中,该盖层被该吸盘下表面抵压住并因该真孔泵对该中空吸管抽真空而被吸附后,该第一刀刃部经该堆叠结构的一第一侧壁,切入一位于该基底与该盖层间的界面层,并通过该真空吸取头的吸力及该真空吸嘴头被向上举升所产生的举升力,使得该基底与该盖层被剥离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精材科技股份有限公司,未经精材科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510127933.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造