[发明专利]一种半金属哈斯勒合金Co2FeAl纳米线的制备方法及其用途

摘要

本发明提出了一种半金属哈斯勒合金Co₂FeAl纳米线的制备方法，先用湿化学法制备得到Co₂FeAl哈斯勒合金颗粒，再用该合金颗粒在纯度为99.99％的Ar气保护下，在真空管式炉内生长为Co₂FeAl哈斯勒合金纳米线。采用本发明方法制备出的Co₂FeAl纳米线具有高自旋极化率和高居里温度，将制备得到的Co₂FeAl纳米线应用于自旋阀多层膜结构以及自旋电子的检测，能够获得更高的磁电阻效应，满足高灵敏度和存储密度的磁传感器和磁存储器的使用要求；且本发明方法不需要大型仪器设备、也无需控制难以精确控制的复杂工艺参数，因此该方法制备工艺简单、成本低、效率高，且制备得到的Co₂FeAl纳米线结构良好、重复性好，便于规模化制备。

主权项

一种半金属哈斯勒合金Co₂FeAl纳米线的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤一：制备催化Co₂FeAl哈斯勒合金颗粒用催化剂：取1cm×1cm的Si（100）片作为衬底，先用质量百分比浓度为2～5％的HF溶液浸蚀30～50s，然后用去离子水冲洗干净后再分别在丙酮和酒精溶液中用超声波清洗2～3min，得到洁净的Si片衬底，然后在Si片上蒸镀一层金膜作为催化剂； 步骤二：将纯净的Co₂FeAl哈斯勒合金颗粒装在氧化铝方舟中，放在管式炉的恒温中心位置，将步骤一所述蒸镀有金膜催化剂的Si片衬底放在距Co₂FeAl源气路下游15cm的位置，所述管式炉升温速率为10～20℃/min，当Co₂FeAl源温度上升到2000℃时向管式炉中通入纯度为99.99％的Ar气，Ar气流量为40sccm，所述管式炉温度保持在2200℃，此时Si片衬底温度为700℃，炉管内的真空度保持在1.99×10⁴Pa，沉积时间30～40min，自然冷却后取出Si衬底，Si衬底上得到的产物即为Co₂FeAl纳米线。