[发明专利]利用氧化锌量子阱混杂制作的半导体激光器及其制作方法

摘要

本发明公开了利用氧化锌量子阱混杂制作的半导体激光器，包括外延片，外延片上设置有条形发光区域，外延片的上表面生长有氧化锌薄膜层，氧化锌薄膜层分为两部分，其中第一部分氧化锌薄膜层诱导量子阱混杂后在激光器两端的出光腔面处形成非吸收窗口，非吸收窗口的深度超过外延片中的有源区，第二部分氧化锌薄膜层诱导量子阱混杂后在激光器条形发光区域的两端处形成折射率光波导区域。本发明还公开了该种半导体激光器的制作方法。本发明解决了现有技术中采用量子阱混杂技术制作非吸收窗口后，无法避免发光区侧面光学限制和发光区外漏电流的问题。

主权项

利用氧化锌量子阱混杂制作的半导体激光器，其特征在于，包括外延片，外延片上设置有条形发光区域(9)，外延片的上表面生长有氧化锌薄膜层，氧化锌薄膜层分为两部分，其中第一部分氧化锌薄膜层诱导量子阱混杂后在激光器两端的出光腔面处形成非吸收窗口(10)，非吸收窗口(10)的深度超过外延片中的有源区，第二部分氧化锌薄膜层诱导量子阱混杂后在激光器条形发光区域(9)的两端形成折射率光波导区域；所述外延片的具体结构从下到上依次设置为：衬底(1)、缓冲层(2)、下限制层(3)、下波导层(4)、量子阱和量子垒区(5)组成的有源区、上波导层(6)、上限制层(7)和上欧姆接触层(8)，所述条形发光区域(9)设置在上欧姆接触层(8)的纵向中心线处；所述的氧化锌薄膜层生长在腐蚀掉上欧姆接触层(8)后的条形发光区域(9)四周，氧化锌薄膜层的厚度与上欧姆接触层(8)的厚度相等，所述的第一部分氧化锌薄膜层为氧化锌薄膜层a(11)，所述的第二部分氧化锌薄膜层为氧化锌薄膜层b(12)，氧化锌薄膜层a(11)邻接条形发光区域(9)并且位于条形发光区域(9)纵向的两端处，氧化锌薄膜层b(12)邻接条形发光区域(9)并且位于条形发光区域(9)横向的两端处。