[发明专利]功率半导体组件在审
申请号: | 201510128787.4 | 申请日: | 2015-03-23 |
公开(公告)号: | CN104952860A | 公开(公告)日: | 2015-09-30 |
发明(设计)人: | R·奥特雷姆巴;F·布鲁齐;李德森;X·施勒格尔;F·施蒂克勒 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L25/16;H01L21/50 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种功率半导体组件,具有:扁平导体框,所述扁平导体框具有第一芯片载体件(2)以及至少一个第二芯片载体件(3),它们相互间隔地安装并且分别导电;至少一个第一功率半导体元件(6),所述第一功率半导体元件安置在所述第一芯片载体件(2)上;至少一个第二功率半导体元件(7),所述第二功率半导体元件安置在所述第二芯片载体件(3)上;外部扁平导体(5、20、21、22、23、24、34、35、36、37、38)形式的外部触点;以及电容器(8、31),其中所述电容器(8、31)装配在两个相邻的外部扁平导体上。 | ||
搜索关键词: | 功率 半导体 组件 | ||
【主权项】:
功率半导体组件,具有:扁平导体框(4),所述扁平导体框具有第一芯片载体件(2)以及至少一个第二芯片载体件(3),它们相互间隔地安装并且分别导电;以及具有至少一个第一功率半导体元件(6),所述第一功率半导体元件安置在所述第一芯片载体件(2)上;以及具有至少一个第二功率半导体元件(7),所述至少一个第二功率半导体元件安置在所述第二芯片载体件(3)上;以及具有外部扁平导体(5、20、21、22、23、24、34、35、36、37、38)形式的外部触点;以及具有电容器(8、31),其中所述电容器(8、31)装配在两个相邻的外部扁平导体上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技奥地利有限公司,未经英飞凌科技奥地利有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510128787.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:采用COA技术的双栅极TFT基板结构
- 下一篇:局部高密度基底布线
- 同类专利
- 专利分类