[发明专利]一种用于他熄灭式超再生接收机中的高摆幅电荷泵电路有效

专利信息
申请号: 201510128825.6 申请日: 2015-03-23
公开(公告)号: CN104716828B 公开(公告)日: 2017-03-22
发明(设计)人: 徐建;韩婷婷;田密;王志功 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 代理人: 杨晓玲
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种用于他熄灭式超再生接收机中的高摆幅电荷泵电路,包括电流源电路、偏置电路、高摆幅共源共栅比例电流镜电路以及开关电路。偏置电路用于给高摆幅共源共栅比例电流镜电路提供偏置电压;高摆幅共源共栅比例电流镜电路按照比例将基准电流镜像到输出端;开关电路用于控制所述比例电流镜的充放电开关。本发明采用栅端开关结构,能够很好地使MOS管镜像电流源工作在截止区和饱和区,可克服传统电荷泵的电荷注入、电荷共享和时钟馈通等问题。同时由于采用高摆幅共源共栅电流镜结构,可大大增大电路的输出阻抗和工作范围。该发明有效提高了他熄灭式超再生接收机中的环路控制特性。
搜索关键词: 一种 用于 熄灭 超再生接收机 中的 高摆幅 电荷 电路
【主权项】:
一种用于他熄灭式超再生接收机中的高摆幅电荷泵电路,其特征在于:包括电流源电路、偏置电路、高摆幅共源共栅比例电流镜电路以及开关电路;所述电流源电路用于给电荷泵提供了所需的电流源;所述偏置电路用于给所述高摆幅共源共栅比例电流镜电路提供偏置电压;所述高摆幅共源共栅比例电流镜电路按照比例将基准电流镜像到输出端;所述开关电路用于控制所述比例电流镜的充放电开关;其中,所述电流源电路包括NMOS管M10、NMOS管M11、NMOS管M17,所述偏置电路包括PMOS管M5、NMOS管M14、NMOS管M19,所述高摆幅共源共栅比例电流镜电路包括PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M6、PMOS管M7、PMOS管M8、PMOS管M9、NMOS管M12、NMOS管M13、NMOS管M15、NMOS管M16、NMOS管M18、NMOS管M20、NMOS管M21、NMOS管M23;所述开关电路包括NMOS管M22、PMOS管M24;所述PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、PMOS管M24的源极均连接到电源,NMOS管M10、NMOS管M17、NMOS管M18、NMOS管M19、NMOS管M20、NMOS管M21、NMOS管M22、NMOS管M23的源极均连接到地;PMOS管M1的栅极与PMOS管M2的栅极相连,同时连接到PMOS管M4的漏极上,PMOS管M1的漏极与PMOS管M3的源极相连;PMOS管M2的漏极与PMOS管M4的源极相连;PMOS管M3的栅极与PMOS管M4的栅极相连接,同时连接到PMOS管M5的漏极上,PMOS管M3的漏极与NMOS管M12的漏极相连;PMOS管M4的漏极与NMOS管M13的漏极相连;PMOS管M5按二极管的连接方法,栅极与漏极相连接同时连接到PMOS管M8和PMOS管M9的栅极和NMOS管M14的漏极上;PMOS管M6的栅极与PMOS管M7栅极相连,同时连接到PMOS管M24的漏极和PMOS管M8的漏极上,PMOS管M6的漏极与PMOS管M8的源极相连;PMOS管M7的漏极连接到PMOS管M9的源极上;PMOS管M8的栅极与PMOS管M9的栅极相连接,PMOS管M8的漏极连接到NMOS管M15的漏极上;PMOS管M9的漏极连接到NMOS管M16的漏极,其连接点作为所述高摆幅共源共栅比例电流镜电路的输出端;NMOS管M10与NMOS管M11、NMOS管M12、NMOS管M13、NMOS管M14、NMOS管M15、NMOS管M16的栅极相连接,NMOS管M10的漏极和栅极相连接同时连接到电流源上;NMOS管M11的漏极连接电流源,同时连接到NMOS管M17的栅极,NMOS管M11的源极连接到NMOS管M17的漏极;NMOS管M12的漏极连接到NMOS管M21和NMOS管M23的栅极,NMOS管M12的源极与NMOS管M21的漏极相连接;NMOS管M13的源极与NMOS管M18的漏极相连接;NMOS管M14的源极与NMOS管M19的漏极相连接;NMOS管M15的源极与NMOS管M20的漏极相连接;NMOS管M16的源极与NMOS管M23的漏极相连接;NMOS管M17的栅极与NMOS管M18、NMOS管M19、NMOS管M20的栅极均相连;NMOS管M22的栅极连接输入信号DN,NMOS管M22的漏极与NMOS管M21和NMOS管M23的栅极相连接;PMOS管M24的栅极连接输入信号UP。
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