[发明专利]一种制绒工序前预清洗工艺有效
| 申请号： | 201510129057.6 | 申请日： | 2015-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN104835717B | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 陆东开;樊选东;黄镇;杨冬生;徐大伟 | 申请（专利权）人： | 中建材浚鑫科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州中合知识产权代理事务所(普通合伙)32266 | 代理人： | 李中华 |
| 地址： | 214400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制绒工序前预清洗工艺，包括以下步骤(1)自动上料机将硅片分别传送给五个轨道；(2)硅片在滚轮的带动下按照设定的速度进入预清洗水槽进行清洗；(3)清洗过后硅片上残留的水将被水槽末端的软滚轮挤掉；(4)之后硅片送入风刀槽，使得表面仍较潮湿的硅片在N2氛围下被吹干；(5)在步骤(4)中严重隐裂的硅片将被吹裂，小的碎硅片将掉入风刀槽体，大的碎硅片将在滚轮带动下进入下一捡片槽；(6)对步骤(5)中的碎硅片进行清理并挑出，将预清洗好的硅片送入刻蚀槽进行清洗制绒。本发明的硅片先过预清洗水槽水洗，再经过风刀槽吹干，保证了进入刻蚀槽的硅片表面既干燥又洁净，防止水被带入刻蚀槽降低刻蚀槽药液浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 工序 清洗 工艺 | ||
【主权项】：
一种制绒工序前预清洗工艺，其特征在于：包括以下步骤：(1)自动上料机将硅片分别传送给五个轨道；(2)硅片在滚轮的带动下按照设定的速度进入预清洗水槽进行清洗；(3)清洗过后将硅片输送到出水槽，硅片上残留的水将被挤掉；(4)之后硅片送入风刀槽，使得表面仍较潮湿的硅片在N2氛围下被吹干；且风刀槽的工作环境为：风刀氮气流速为100m3/min～200m3/min，烘干温度为50℃～85℃；(5)在步骤(4)中严重隐裂的硅片将被吹裂，小的碎硅片将掉入风刀槽体，大的碎硅片将在滚轮带动下进入下一捡片槽；(6)检片人员对步骤(5)中的碎硅片进行清理并挑出，将预清洗好的硅片送入刻蚀槽进行清洗制绒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
