[发明专利]薄膜晶体管和阵列基板及其制作方法、显示装置有效
| 申请号： | 201510129225.1 | 申请日： | 2015-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN104701383B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 刘晓娣;王刚 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种薄膜晶体管和阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够改善薄膜晶体管的阈值电压漂移现象，提高阵列基板的稳定性和可靠性。该薄膜晶体管包括有源层和栅极绝缘层，所述有源层的材质为金属氧化物半导体，在所述薄膜晶体管形成过程中，所述栅极绝缘层向所述有源层输氧，以降低所述有源层和所述栅极绝缘层之间的接触界面的界面态密度和可动杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 源层 栅极绝缘层 阵列基板 显示装置 金属氧化物半导体 阈值电压漂移 界面态密度 输氧 可动 制作 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括有源层和栅极绝缘层，所述有源层的材质为金属氧化物半导体，其特征在于，在所述薄膜晶体管形成过程中，所述栅极绝缘层向所述有源层输氧，以降低所述有源层和所述栅极绝缘层之间的接触界面的界面态密度和可动杂质浓度；所述栅极绝缘层包括至少一层膜层，所述栅极绝缘层中与所述有源层接触的一层膜层的材质为SiOx、Al2O3、HfO2、ZrO2、TiO2、Y2O3、La2O3、Ta2O5中的一种，其中，1.5≤x≤2.8；所述有源层的材质为IGZO、ZnON、ITZO、ZTO、ZIO、IGO、AZTO中的一种，在沉积形成所述有源层的过程中，沉积气氛中氧含量大于零而且小于20％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510129225.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：像素驱动电路的驱动方法
- 下一篇：发光装置
- 同类专利
- 专利分类
