[发明专利]一种高增益天线有效
申请号: | 201510129931.6 | 申请日: | 2015-03-24 |
公开(公告)号: | CN104701615A | 公开(公告)日: | 2015-06-10 |
发明(设计)人: | 邝嘉豪 | 申请(专利权)人: | 邝嘉豪 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q19/10;H01Q21/00 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 246003 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种高增益天线;通过设置反射板以及设于反射板上的多个单极性微带振子;所述单极性微带振子,包括有主PCB板,所述主PCB板上对称设置有两个微带辐射区;所述每个微带辐射区包括有微带上弧边以及微带下弧边,所述微带上弧边和微带下弧边闭合形成一个封闭的区域;所述每个微带辐射区内设有多个独立的二分之一波长的微带单元;其在800MHz至950MHz频段均表现出优良的通信电气参数性能,具体的,单个辐射单元最低频点前后比均大于31dB,在950MHz,单个辐射单元最低频点前后比均为36dB;而低频点增益均大于9.35dBi,频带内平均增益大于9.8dBi。 | ||
搜索关键词: | 一种 增益 天线 | ||
【主权项】:
一种高增益天线,其特征在于:包括有反射板(a)以及设于反射板(a)上的多个单极性微带振子;所述单极性微带振子,包括有主PCB板(1),所述主PCB板(1)上对称设置有两个微带辐射区(2);所述每个微带辐射区(2)包括有微带上弧边(21)以及微带下弧边(22),所述微带上弧边(21)和微带下弧边(22)闭合形成一个封闭的区域;所述每个微带辐射区(2)内设有多个独立的二分之一波长的微带单元;所述每个微带单元两端宽中间窄呈哑铃状;所述多个独立的二分之一波长微带单元分为一个第一微带单元(41)、两个第二微带单元(42)、两个第三微带单元(43)、两个第四微带单元(44)以及一个第五微带单元(45);所述第一微带单元(41)设于靠近微带下弧边(22)的一侧,第五微带单元(45)设于靠近微带上弧边(21)的一侧,所述两个第二微带单元(42)分别设于第一微带单元(41)的上方的两侧且在同一水平线上,所述两个第三微带单元(43)分别设于两个第二微带单元(42)的上方的两侧且在同一水平线上,所述两个第四微带单元(44)分别设于第三微带单元(43)的上方且在同一水平线上;所述第一微带单元(41)的一端与一个第二微带单元(42)的一端电连接,所述第一微带单元(41)的另一端与另一个第二微带单元(42)的一端电连接,所述一个第二微带单元(42)的另一端与一个第三微带单元(43)的一端电连接,所述另一个第二微带单元(42)的另一端与另一个第三微带单元(43)的一端电连接,所述一个第三微带单元(43)的另一端与一个第四微带单元(44)的一端连接,所述另一个第三微带单元(43)的另一端与另一个第四微带单元(44)的一端连接,所述一个第四微带单元(44)的另一端和另一个第四微带单元(44)的另一端分别与第五微带单元(45)的两端电连接;所述每个微带单元的中间设有一两头为弧形中间为矩形的通孔(6);所述通孔(6)内填充有二氧化硅半导体。
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