[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法及阵列基板在审
| 申请号： | 201510130433.3 | 申请日： | 2015-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN104733542A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 李旭远 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法及阵列基板。所述薄膜晶体管包括有源层、源极和漏极，源极包括源极第一导电层和源极第一缓冲层，漏极包括漏极第一导电层和漏极第一缓冲层；源极第一缓冲层的至少部分上表面及漏极第一缓冲层的至少部分上表面与有源层的下表面接触，源极第一导电层的至少部分侧壁及所述漏极第一导电层的至少部分侧壁与所述有源层接触，源极第一导电层、漏极第一导电层的与有源层接触的侧壁形成有氧化层。上述薄膜晶体管的有源层的成分结构不会被源极第一导电层、漏极第一导电层破坏，这样就可以保证薄膜晶体管具有较高的电子迁移率，使薄膜晶体管维持良好的电学特性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括有源层、源极和漏极，所述源极包括源极第一导电层和源极第一缓冲层，所述源极第一缓冲层设置在所述源极第一导电层上，所述漏极包括漏极第一导电层和漏极第一缓冲层，所述漏极第一缓冲层设置在所述漏极第一导电层上；所述源极第一缓冲层的至少部分上表面及所述漏极第一缓冲层的至少部分上表面与所述有源层的下表面接触，所述源极第一导电层的至少部分侧壁及所述漏极第一导电层的至少部分侧壁与所述有源层接触，其特征在于，所述源极第一导电层的与所述有源层接触的侧壁形成有氧化层，所述漏极第一导电层的与所述有源层接触的侧壁形成有氧化层。
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