[发明专利]像素结构有效
申请号: | 201510130503.5 | 申请日: | 2015-03-25 |
公开(公告)号: | CN106298833B | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
发明(设计)人: | 简良能;黄俊杰 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 谢志为 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种像素结构用于有机发光二极管面板,其包括复数个像素。每个像素包括第一子像素、第二子像素以及第三子像素。三个子像素均为矩形。每个像素中,第一子像素的长度沿第一方向,宽度沿垂直于该第一方向的第二方向,第一子像素的长度大于该第二子像素沿该第一方向的长度及该第三子像素沿该第一方向的长度,且每个像素中的第一子像素、第二子像素及第三子像素沿该第二方向依序排列。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构,用于有机发光二极管面板,其包括复数个像素;每个像素包括第一子像素、第二子像素以及第三子像素;该三个子像素均为矩形;其特征在于:每个像素中,该第一子像素的长度沿第一方向,宽度沿垂直于该第一方向的第二方向,该第一子像素的长度大于该第二子像素沿该第一方向的长度及该第三子像素沿该第一方向的长度,且每个像素中的第一子像素、第二子像素及第三子像素沿该第二方向依序排列;每个像素中的第一子像素、第二子像素及第三子像素排列成L形;该复数像素中,每两个沿该第二方向排列且相邻的像素为一组,每组像素包括第一像素及第二像素,其中该第一像素及第二像素的第二及第三子像素均设置于该第一像素的第一子像素与第二像素的第一子像素之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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