[发明专利]一种局部放电特高频传感器的性能测试装置与测试方法

摘要

本发明公开了一种局部放电特高频传感器性能测试装置，包括吉赫兹横电磁波小室、矢量网络分析仪、聚四氟乙烯盖板、数据处理计算机、校验天线和待测特高频传感器，使用矢量网络分析仪同时作为信号输入与输出端，性价比高且实施方便。本发明还提供了利用该测试装置进行的传感器性能测试方法，可以同时给出表征传感器性能的时域参数和频域参数，具有可靠、准确等特点。

主权项

一种利用局部放电特高频传感器的性能测试装置进行局部放电特高频传感器的性能测试方法，该局部放电特高频传感器的性能测试装置，包括GTEM小室、矢量网络分析仪、聚四氟乙烯盖板、数据处理计算机、校验天线和待测特高频传感器；所述的GTEM小室为逐渐扩展的棱锥形腔体，锥顶部即输入端为同轴馈源头，在该同轴馈源头的内导体向锥底部延伸成三角形金属芯板，锥底部即终端被微波吸收材料封闭且设置有与芯板相连的电阻面阵；在GTEM小室金属外壁的上方开有一个圆形开孔作为测试点，该开孔上放置所述的聚四氟乙烯盖板，供所述的校验天线或待测特高频传感器摆放；所述的矢量网络分析仪的第一端口接同轴馈源头，第二端口接待测特高频传感器或校验天线，该矢量网络分析仪的输出端接所述的数据处理计算机的输入端；其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤一：将矢量网络分析仪的第一端口与GTEM小室的同轴馈源头相连，第二端口与校验天线相连，并将校验天线通过聚四氟乙烯盖板安装于GTEM小室的开孔上，利用矢量网络分析仪测量第一端口到第二端口的正向传输系数S21；步骤二：根据校验天线的标准有效高度和步骤一中测量的正向传输系数S21对测试装置进行校验；步骤三：将矢量网络分析仪的第一端口与GTEM小室的同轴馈源头相连，第二端口与待测特高频传感器相连，并将待测特高频传感器通过聚四氟乙烯盖板安装于GTEM小室的开孔上，使待测特高频传感器位于开孔中央，此时利用矢量网络分析仪测量正向传输系数S21；步骤四：根据步骤三中测量的正向传输系数S21，利用数据处理计算机计算得到表征传感器性能的频域参数，即传感器有效高度；步骤五：根据步骤四中得到的频域参数，构成传感器因果有效高度，进而求取解析脉冲响应函数，从中提取表征传感器性能的时域参数。