[发明专利]超陡平均亚阈摆幅纳米线隧穿场效应晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 201510131442.4 | 申请日： | 2015-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN104835840B | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 黄如;吴春蕾;黄芊芊;樊捷闻;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/331;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超陡平均亚阈摆幅纳米线隧穿场效应晶体管及制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该隧穿场效应晶体管采用具有芯‑多层壳的纳米线结构，该结构中的多壳层部分的材料禁带宽度沿纳米线半径方向连续增大。本发明可以有效抑制器件转移特性中亚阈斜率退化现象，同时显著降低隧穿场效应晶体管的平均亚阈斜率，并保持了较陡直的最小亚阈斜率。 | ||
| 搜索关键词： | 平均 亚阈摆幅 纳米 线隧穿 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种隧穿场效应晶体管，该隧穿场效应晶体管采用纳米线结构，纳米线结构中间部分作为晶体管的沟道区，纳米线结构的两端分别作为源区和漏区，位于纳米线沟道区上方设有栅介质层和控制栅，其特征在于，所述纳米线结构包括芯层部分和多壳层部分，其中多壳层部分的材料禁带宽度沿纳米线半径方向连续增大，最里层材料的禁带宽度最小，最外层材料的禁带宽度最大，中间各层材料的禁带宽度连续变化。
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