[发明专利]电阻式随机存储器的形成方法有效
| 申请号： | 201510131863.7 | 申请日： | 2015-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN106159082B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;刘盼盼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种电阻式随机存储器的形成方法，包括：以具有开口的硬掩膜层为掩膜，采用第一干法刻蚀工艺刻蚀上电极层，直至暴露出介电材料层表面，所述第一干法刻蚀工艺的刻蚀气体为CH4；继续以具有开口的硬掩膜层为掩膜，采用第二干法刻蚀工艺刻蚀介电材料层，直至暴露出下电极层表面，所述第二干法刻蚀工艺的刻蚀气体为H2。本发明避免刻蚀工艺对上电极层以及介电材料层造成刻蚀污染，使得刻蚀后的上电极层侧壁以及介电材料层侧壁清洁，进而提高形成的电阻式随机存储器的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式随机存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内具有下电极层，所述下电极层顶部与基底表面齐平；在所述基底表面和下电极层表面形成介电材料层；在所述介电材料层表面形成上电极层；在所述上电极层表面形成硬掩膜层；图形化所述硬掩膜层，在所述硬掩膜层内形成暴露出上电极层的开口；以所述具有开口的硬掩膜层为掩膜，采用第一干法刻蚀工艺刻蚀所述上电极层，直至暴露出介电材料层表面，所述第一干法刻蚀工艺的刻蚀气体为CH4；以所述具有开口的硬掩膜层为掩膜，采用第二干法刻蚀工艺刻蚀所述介电材料层，直至暴露出下电极层表面，所述第二干法刻蚀工艺的刻蚀气体为H2；去除所述具有开口的硬掩膜层。
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